全球第一家！臺積電官宣2nm工藝！

發(fā)布時(shí)間：2019-06-19   瀏覽量：2670

    這幾年，雖然摩爾定律基本失效或者說(shuō)越來(lái)越遲緩，但是在半導體工藝上，幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉入7nm，臺積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。

    現在，臺積電又官方宣布，正式啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā)，工廠(chǎng)設置在位于臺灣新竹的南方科技園，預計2024年投入生產(chǎn)，時(shí)間節奏上還是相當的快。

    按照臺積電給出的指標，2nm工藝是一個(gè)重要節點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

    臺積電沒(méi)有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料，看晶體管結構示意圖和目前并沒(méi)有明顯變化，能在硅半導體工藝上繼續壓榨到如此地步真是堪稱(chēng)奇跡，接下來(lái)就看能不能做到1nm了。

    當然，在那之前，臺積電還要接連經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個(gè)工藝節點(diǎn)。

    其中，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù)，目前已經(jīng)投入量產(chǎn)；6nm只是7nm的一個(gè)升級版，明年第一季度試產(chǎn)；5nm全面導入極紫外光刻，已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險性試產(chǎn)，|中國半導體論壇公眾號|明年底之前量產(chǎn)，蘋(píng)果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納)；3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。

    三星也早就規劃到了3nm，預期2021年量產(chǎn)。

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